苏州通创微芯有限公司于2007年9月注册成立，公司的注册资本为人民币3，200万，其研发和办公地点位于昆山市高新技术开发区清华科技园内。
通创微芯公司在其创立初期的产品开发主要定位于两个方向：1）应用于各种通讯系统的专用微波射频和混合信号芯片和及其芯片的整体解决方案；2）应用于各种无线通讯终端（手机和移动多媒体）的射频模拟芯片。前者将为中国新一代通讯电子系统的升级换代提供有力的技术支持，填补国内相关领域的空白，彻底打破对国外公司在某些芯片方面的依赖局面，完善中国在通讯领域的产业链。后者在通用或专用射频模拟和混合信号芯片的研发和产品化将解决国内众多通信系统和终端设计制造公司多年来“无芯”而受制于人的局面，开展技术自主创新，最终成为国家知识创新和相关产业发展的技术后盾。
通创微芯公司拥有一支具有丰富芯片产业经验的海外技术团队，团队成员在微波射频和混合信号芯片设计和半导体工艺（以硅和砷化镓工艺为代表，包括工艺开发、生产线管理、器件建模等）等方面均有很深的造诣，目前公司的主要管理和技术成员均在美国和国际著名半导体公司和领先的微波射频芯片设计公司从事多年的管理和技术开发工作，拥有深厚的产品设计经验和先进半导体工艺技术应用的积累。这些优势将为通创微芯在中国无线通讯领域开拓进入市场和快速发展提供强大动力。通创微芯技术管理团队在微波射频和混合电路及系统的设计领域拥有来自以下著名公司的超强团队组合：IBM，TI，ADI，Conexant，TriQuint，QualComm，Skyworks，M/A-Com，Bell Labs，Infineon，Jazz Semiconductor，Oki Technology，ESST和RF Arrays等国外著名半导体公司，他们分别在上述公司和科研机构担任过高级管理，销售人员或资深技术领军人物。在CDMA，WCDMA，CDMA2000，GPS，GSM，WLAN， WiMax和新一代通信标准等各种无线通信标准的基站和终端设备上，团队成员设计的产品均获得成功的大批量生产和商业应用。各项产品的设计采用了当今世界上最先进的半导体生产和设计工艺，如： Si（CMOS），SiGe BiCMOS，GaAs HBT，GaAs MESFET 和 pHEMT（E/D）等。历年来技术团队成员先后在相关领域的著名学术刊物和国际会议上发表过超过100篇高水平学术设计论文和专著，并申请过数十项国内外设计和发明专利。
随着中国整体经济实力的发展，新一代民用通信系统和武器装备的研发和生产都以前所未有的速度进行。各种新型装备（机载，舰载和弹载）陆续完成研制并投入量产，其整体系统指标有些已接近甚至超过国外先进国家类似产品的水平。但是，在这些装备的设计和制造产业链中，一个非常严重的缺陷就是对国外芯片的依赖。以军用有源相控阵雷达为例，其前端高频收发链路芯片的解决方案包括多个微波芯片，此类国内急需的芯片产品仍然被国外公司和有关国家政府禁运。受到芯片瓶颈的限制，国内很多军用系统被迫采用民用级芯片替代，很大地影响和限制了系统的性能指标。
随着计算机、通信和多媒体技术的发展，全球高新技术领域数字化的程度不断加深。现代电子工业已形成了以数字技术为主体，半导体技术数字化和集成化日益提高的格局。在这些因素的影响下，模数/模数转换技术正朝着高精度和高速度的发展方向迈进。目前国内在模数/模数转换芯片设计方面还远远落后于国际领先水平，不能满足国内各个行业（卫星通讯、雷达、无线通信基站、移动多媒体等）在这方面的需求。
隋文泉博士及其技术团队拥有一支经验丰富的芯片和系统设计团队，他们愿意利用自己掌握的技术特长为国家的发展做出应有的贡献，为国家的安全和平做出贡献。
