中国科学院半导体研究所基本信息

1956年，在我国十二年科学技术发展远景规划中，半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地，国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所（以下简称半导体所），开启了中国半导体科学技术的发展之路。
半个多世纪以来，半导体研究所在半导体科学的基础研究和高新技术研究与产业化方面，取得了大量的重要成果，培养了一批又一批优秀科技人才，为我国科技事业发展、国民经济和国防建设，做出了重要贡献。研制出中国第一只锗晶体管、硅平面晶体管、半导体固体组件；研发出第一根锗单晶、硅单晶、砷化镓单晶；制造出第一台硅单晶炉、区熔炉；取得了一系列重大原创性成果。曾先后获得国家自然科学奖一等奖、国家科技进步奖一等奖等重大奖励，黄昆院士荣获2001年度国家最高科学技术奖。
改革开放后尤其是中国科学院实施知识创新工程以来，半导体所进入了快速发展时期，在提升半导体科学技术水平、促进国家经济、社会发展及国防建设等方面作出了重要贡献，逐步发展成为集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构。
目前，已进入“十二五”和 “创新2020”的关键时期，我所将以此为新的起点，抓住机遇，勇攀科学技术高峰，迎接挑战，加快全所创新跨越发展。我们将继续以科学发展观为统领，全面落实十七届六中全会精神，在院党组的正确领导下，继续秉承 “以人为本，创新跨越，唯真求实，和谐发展”的办所理念，树立 “出成果、出人才、出思想”的理念，按照研究所“一三五”的要求，扎实工作，锐意创新，携手奋进，为扎实做好“十二五”工作创造新的业绩；为全面实施“创新2020”谱写新的华章；为国家半导体科学技术再造新的辉煌！
衷心地欢迎和期待海内外半导体科学技术领域的精英访问、加盟半导体所！